LGS电光Q开关
这是一种采用LGS（硅酸镓镧）晶体设计的新型电光调Q开关。LGS系列Q开关是一种实用的电光器件，可用于中等输出能量激光器，部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q开关。
文件下载- 产品描述
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采用LGS晶体设计的光电调Q开关。LGS晶体具有很高的损伤阈值（约为LN的9倍）、出色的光电系数和优良的温度稳定性。LGS（LG-EO-Q）系列Q开关（普克尔盒）是一种实用的光电器件，可用于中等输出能量激光器，可部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q开关。
主要特点
波长可达3.2μm
传输波前失真＜l/4
损伤阈值＞900MW/cm2
LGS可部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q开关。
- 产品特性
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化学式
La3Ga5SiQ14
晶格参数
三方晶体a=b=7.453A.，c=6.293A.
密度
5.75g/cm3
熔点
1470℃
透过波段
242~3200nm
折射率
1.89
电光系数
Y41=1.8pm/V，Y11=2.3pm/V
电导率
1.7×1010 Ω.cm
潮解性
不潮解
- 技术参数
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晶体尺寸
2 x 2~8 x 8 mm
外壳尺寸
20-35 mm
通光孔径
8mm-20mm
消光比
＞350:1
透过畸变
λ/6 @ 633nm
整体透过率
＞98% @ 1064nm
电极间隔离性
<1
光洁度
20/10 (膜后40/20)
镀膜 AR/AR @ 1064nm (R<0.2%)
损伤阈值
900MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm